刻蝕工序的另一個(gè)目標(biāo)是保護(hù)被刻蝕層下的表面。如果晶圓的下層表面被部分刻蝕掉，ECX-7700-XEN則器件的物理尺寸和電性能會(huì)發(fā)生改變。與保護(hù)表面相關(guān)的刻蝕工藝的性質(zhì)是選擇比(seleC-tivity)。它由被刻蝕層的刻蝕速率與被刻蝕層下面表層的刻蝕速率的比來表示。以不同的刻蝕方法氧化硅／硅的選擇比4；1為20~ 40。高選擇性意味著下表層很少或沒有被刻蝕。在刻蝕深寬比大于3:1的小接觸孔時(shí)，良好的選擇性也會(huì)成為一個(gè)問題。5。選擇比還適用于光刻膠去除。這在于法刻蝕中考慮較多。在表層被刻蝕的同時(shí)，一些光刻膠也會(huì)被同時(shí)去除。選擇比必須要足夠高，以保證刻蝕完成前光刻膠不會(huì)在被刻蝕層之前被去除掉．

   濕法噴射刻蝕

   濕法噴射刻蝕相對(duì)沉浸刻蝕有幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)。其主要優(yōu)點(diǎn)是噴射的機(jī)械壓力而增加的精確度7，濕法噴射刻蝕可以將來自刻蝕劑的污染降到最低程度。從工藝控制的觀點(diǎn)來看，噴射刻蝕因刻蝕劑可被水沖洗從而可以及時(shí)地從表面去掉而更加可控。單晶圓旋轉(zhuǎn)噴射系統(tǒng)有顯著的工藝一致牲的優(yōu)點(diǎn)。

   噴射刻蝕的缺點(diǎn)在于設(shè)備系統(tǒng)的成本，對(duì)于壓力系統(tǒng)中有毒刻蝕劑的安全考慮以及對(duì)用于防止機(jī)器老化的防刻蝕材料的要求方面。其優(yōu)點(diǎn)為，噴射刻蝕系統(tǒng)通常是封閉的，這增加了操作人員的安全性。

   對(duì)于小特征尺寸和／或更大直徑晶圓，批浸沒式刻蝕雖然有生產(chǎn)效率高的特點(diǎn)，也不能滿足均勻性的要求。具有機(jī)械手自動(dòng)裝卸系統(tǒng)的單片晶圓模塊噴霧設(shè)備克服了批浸沒式刻蝕的局限性（見第7章）。它們提供了需要的化學(xué)組分的控制、定時(shí)和刻蝕的均勻性．j在硅工藝技術(shù)中用于刻蝕不同層的常用化學(xué)品將在下面章節(jié)討論。是一些常用的半導(dǎo)體膜及其刻蝕劑的列表。