修復(fù)晶體損傷和注入雜質(zhì)的電激活可以通過(guò)加熱的步驟來(lái)實(shí)現(xiàn)。AD7548JN退火的溫度低于擴(kuò)散摻雜時(shí)的溫度以防止橫向擴(kuò)散。通常爐管中的退火在600cC—1000℃之間的氫氣中進(jìn)行。

   離子注入后的退火也用到RTP技術(shù)。RTP捉供快速表面加熱修復(fù)損傷，而不使襯底溫度達(dá)到擴(kuò)散的程度。且快速熱退火可以在數(shù)秒鐘內(nèi)完成，而爐管工藝需要15~30分鐘。

   溝道效應(yīng)

   晶圓的晶體結(jié)構(gòu)在離子注入工藝中會(huì)出現(xiàn)一個(gè)問(wèn)題。問(wèn)題發(fā)生在當(dāng)晶圓的主要晶軸對(duì)準(zhǔn)離子束流時(shí)。離子可以沿溝道深入，達(dá)到計(jì)算深度的10倍距離處。溝道效應(yīng)的離子濃度剖面圖（見(jiàn)圖11. 33）顯示出數(shù)量顯著的額外雜質(zhì)。溝道效應(yīng)可以通過(guò)幾種技術(shù)最小化：表層的無(wú)定型阻礙層、晶圓方向的扭轉(zhuǎn)及在晶圓表面形成損傷層。