修復(fù)晶體損傷和注入雜質(zhì)的電激活可以通過加熱的步驟來實現(xiàn)。AD7548JN退火的溫度低于擴散摻雜時的溫度以防止橫向擴散。通常爐管中的退火在600cC—1000℃之間的氫氣中進行。

   離子注入后的退火也用到RTP技術(shù)。RTP捉供快速表面加熱修復(fù)損傷，而不使襯底溫度達到擴散的程度。且快速熱退火可以在數(shù)秒鐘內(nèi)完成，而爐管工藝需要15~30分鐘。

   溝道效應(yīng)

   晶圓的晶體結(jié)構(gòu)在離子注入工藝中會出現(xiàn)一個問題。問題發(fā)生在當晶圓的主要晶軸對準離子束流時。離子可以沿溝道深入，達到計算深度的10倍距離處。溝道效應(yīng)的離子濃度剖面圖（見圖11. 33）顯示出數(shù)量顯著的額外雜質(zhì)。溝道效應(yīng)可以通過幾種技術(shù)最小化：表層的無定型阻礙層、晶圓方向的扭轉(zhuǎn)及在晶圓表面形成損傷層。