蒸氣刻蝕是把晶圓暴露于刻蝕劑蒸氣中。氫氟酸是最常用到的。EL1509CS其優(yōu)點(diǎn)是有持續(xù)新鮮的刻蝕劑補(bǔ)充到晶圓表面并可以及時(shí)停止刻蝕。出于安全考慮，有毒蒸氣需要密封保存在系統(tǒng)內(nèi)。

   干法刻蝕

   對(duì)于小尺寸濕法刻蝕的局限在前面已經(jīng)提到�；仡櫼幌�，它們包括：

   1．濕法刻蝕局限于2¨m以上的圖形尺寸。

   2．濕法刻蝕為各向同性刻蝕，導(dǎo)致邊側(cè)形成斜坡．，

   3．濕法刻蝕工藝要求沖洗和干燥步驟。

   4．液體化學(xué)品有毒害。

   5．濕法工藝有潛在的污染。

   6．光刻膠黏結(jié)力的失效導(dǎo)致鉆蝕。

   基于以上方面的考慮，干法刻蝕被用于先進(jìn)電路的小特征尺寸精細(xì)刻蝕中。圖9. 20足刻蝕技術(shù)的概略。

    圖9. 20刻蝕方法指南

   干法刻蝕( dry etching)是一個(gè)通稱術(shù)語(yǔ)，是指以氣體為主要媒體的刻蝕技術(shù)，晶圓不需要液體化學(xué)品或沖洗。晶圓在干燥的狀態(tài)進(jìn)出系統(tǒng)。三種干法刻蝕技術(shù)分別為：等離子體、離子銑（刻蝕）和反應(yīng)離子刻蝕( RIE)。