等離子體刻蝕像濕法刻蝕一樣是一種化學(xué)工藝，它使用氣體和等離子體能量來(lái)進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)：．二氧化硅刻蝕在兩個(gè)系統(tǒng)中的比較說(shuō)明了區(qū)別所在。EL1537AIRE在濕法刻蝕二氧化硅中，氟在緩沖氧化物刻蝕劑中是溶解二氧化硅的成分，并轉(zhuǎn)化為町用水沖洗的成分。形成反應(yīng)的能量來(lái)自緩沖氧化物刻蝕溶液的內(nèi)部或外部加熱器。

   等離子體刻蝕機(jī)要求相同的元素：化學(xué)刻蝕劑和能量源。物理上，等離子體刻蝕機(jī)由反應(yīng)室、真空系統(tǒng)、氣體供應(yīng)、終點(diǎn)探測(cè)和電源組成（見(jiàn)圖9. 21）。晶圓被送入反應(yīng)室，并由真空系統(tǒng)把內(nèi)部壓力降低。在真空建立起來(lái)后，將反應(yīng)室內(nèi)充入反應(yīng)氣體。對(duì)于二氧化硅刻蝕，氣體一般使用CF4和氧的混合劑。電源通過(guò)在反應(yīng)室中的電極創(chuàng)造了—個(gè)射頻(RF)電場(chǎng)，能量場(chǎng)將混合氣體激發(fā)成等離子體狀態(tài)。在激發(fā)狀態(tài)，氟刻蝕二氧化硅，并將其轉(zhuǎn)化為揮發(fā)性成分由真空系統(tǒng)排出。