等離子體刻蝕像濕法刻蝕一樣是一種化學工藝，它使用氣體和等離子體能量來進行化學反應：．二氧化硅刻蝕在兩個系統(tǒng)中的比較說明了區(qū)別所在。EL1537AIRE在濕法刻蝕二氧化硅中，氟在緩沖氧化物刻蝕劑中是溶解二氧化硅的成分，并轉化為町用水沖洗的成分。形成反應的能量來自緩沖氧化物刻蝕溶液的內部或外部加熱器。

   等離子體刻蝕機要求相同的元素：化學刻蝕劑和能量源。物理上，等離子體刻蝕機由反應室、真空系統(tǒng)、氣體供應、終點探測和電源組成（見圖9. 21）。晶圓被送入反應室，并由真空系統(tǒng)把內部壓力降低。在真空建立起來后，將反應室內充入反應氣體。對于二氧化硅刻蝕，氣體一般使用CF4和氧的混合劑。電源通過在反應室中的電極創(chuàng)造了—個射頻(RF)電場，能量場將混合氣體激發(fā)成等離子體狀態(tài)。在激發(fā)狀態(tài)，氟刻蝕二氧化硅，并將其轉化為揮發(fā)性成分由真空系統(tǒng)排出。