在離子注入過(guò)程中，由于入射離子的碰撞，晶圓晶體結(jié)構(gòu)受到損傷。有3種類型的損傷： AD7548BQ晶格損傷、損傷群簇、空位一間隙[17]。．晶格損傷發(fā)生在入射離子與原物質(zhì)原子發(fā)生碰撞，并取代原物質(zhì)原子的晶格位置時(shí)。損傷群簇發(fā)生在被替位的本物質(zhì)原子繼續(xù)替代其他本物質(zhì)原子的位置，產(chǎn)生成簇的被替位的原子時(shí)。離子注入產(chǎn)生的常見(jiàn)缺陷是空位一間隙。當(dāng)原物質(zhì)原子被入射離子撞擊出本來(lái)位置，停留在非晶格位置時(shí)，將產(chǎn)生這種缺陷（見(jiàn)圖11. 32）。

   像硼這樣的輕原子產(chǎn)生很少量的替位原子。像磷和砷這樣較重的原子產(chǎn)生大量的替位原子。隨著轟擊的延續(xù)，錯(cuò)位密集區(qū)域可能變?yōu)闊o(wú)定型（非晶態(tài)）結(jié)構(gòu)。除去    宅位離子注入造成的結(jié)構(gòu)損傷外，還有電學(xué)上的影響。由于離子軌跡注入的離子沒(méi)有占據(jù)晶格位置，所以受損區(qū)域沒(méi)有所需的電特性。