與其他每種微芯片工藝類似，CVD已經(jīng)隨著尺寸改變而改變。下一代CVD系統(tǒng)加入了原子層淀積(Atomic Layer Deposition，ALD)。GL2576除了獨特的脈沖調(diào)制技術，它基于基本的CVD�！舅嚪�法。一個典犁的CVD系統(tǒng)將先驅(qū)化學物引入腔室，在那里在晶圓表面上淀積期望的材料( Si、Si0，、S13 N。)層。在ALD中，先

驅(qū)物被依次引入腔室，但是被一種吹掃氣體分開。在表面的效應如圖12. 21所示。ALD還是一種自限制工藝，因為反應發(fā)生在晶圓的表面上，而不是腔室內(nèi)。由于每種薄膜臺階是以單層速率生的，所以控制非常精確。另外，這種慢速率有助于晶圓表面高的共面性水平和致密薄膜成分。ALD的薄層厚度已經(jīng)從通常的CVD的300 A水平降到12 A的范圍。

   藝在真空中進行。一種常用示意系統(tǒng)如圖12. 22所示。