氣相外延( VPE)與CVD系統(tǒng)的不同之處在于VPE可淀積化合物材料，GL2595-ASF8R如砷化鎵( GaAs)、VPE系統(tǒng)Il I由標準的液體源、管式反應爐和雙區(qū)擴散爐組成．、圖12. 24給出廠·個詳細的例子，用于淀積外延砷化鎵。在主反應室內(nèi)，砷化鎵( GaAs)在晶圓表面上形成要經(jīng)歷兩個階段：AsCl，（三氯化砷）用鼓泡式進入反應爐的起始部分，在此與放置在舟內(nèi)的固態(tài)鎵反應。AsCl，在起始部分與H2反應.

   砷淀積在鎵上形成硬殼。流經(jīng)硬殼的H：‘在起始部位反應，形成流經(jīng)晶圓區(qū)的3種氣體： GaAs    HCl  .GaCl    l/2 H2    1/4 AS4 晶圓區(qū)的溫度稍低，并且反應是可逆的，CaAs淀積在晶圓。該技術(shù)具有薄膜清潔的優(yōu)點，原因在于Ga和AsCI，純度非常高。而且 比MBE技術(shù)有更高的生產(chǎn)率。不足之處在于，該技術(shù)產(chǎn)生的薄膜結(jié)構(gòu)沒有MBE薄膜的質(zhì)量好。