金屬層間介質(zhì)(IDL)層對多層金屬的結(jié)構(gòu)極為重要。其主要的難題在對高深寬比（大于3：1）孔的填充上。GF1B-E3/67A一種途徑是使淀積和原位( in  situ)刻蝕有序進行。初始淀積時，通常底部較薄。將肩部刻蝕掉，然后再淀積，從而形成均勻的淀積層和較為平坦的表面。

   實現(xiàn)這種工藝的系統(tǒng)是高密度等離子體CVD(High-DensityPlasma CVD, HDPCVD)n。在CVD反應室的內(nèi)部形成等離子體場、，該等離子場含有氧氣和硅烷( Silane)，用以淀積二氧化

硅。此外，還含有由等離子體中提供能量的氬離子，直接撞擊晶圓表面，該現(xiàn)象稱為濺射反應（見9.5節(jié)），從晶圓表面和溝槽中去除材料。HDPCVD具有淀積多種材料的潛能，用于IMD層、刻蝕終止層和最后的鈍化層。