臺(tái)階覆蓋度也可以通過(guò)濺射來(lái)改良，蒸發(fā)來(lái)自于點(diǎn)源，而濺射來(lái)自于平面源（見(jiàn)圖13. 11）。 AD22293因?yàn)榻饘傥⒘Ｊ菑陌胁母鱾�(gè)點(diǎn)濺射出來(lái)的，所以在到達(dá)晶圓承載臺(tái)時(shí)，它們可以從各個(gè)角度覆蓋晶圓表面。臺(tái)階覆蓋度還可以通過(guò)旋轉(zhuǎn)晶圓和加熱晶圓得到進(jìn)…步的優(yōu)化。

   圖13. 11  階梯覆蓋

   濺射形成的薄膜對(duì)晶圓表面的黏附性也比蒸發(fā)工藝提高很多。首先，轟擊出的原子在到達(dá)晶圓表面時(shí)的能量越高，所形成薄膜的黏附性就越強(qiáng)。其次，反應(yīng)室中的等離子環(huán)境有“清潔”晶圓表面的作用，從而增強(qiáng)了黏附性。因此在淀積薄膜之前，將晶圓承載臺(tái)停止運(yùn)動(dòng)，對(duì)晶圓表面濺射一小段時(shí)間，可以提高黏附性和表面潔凈度。在這種模式下，濺射系統(tǒng)所起的作用與在第10章介紹的離子刻蝕（濺射刻蝕，反濺射）設(shè)備一樣。

   對(duì)臺(tái)階覆蓋和在深孔中形成均勻的薄膜的另一種技術(shù)是準(zhǔn)直射束（見(jiàn)圖13. 12）。原子以多種角度從靶中出來(lái)，并趨于在底部填充之前填充孔的側(cè)壁。準(zhǔn)直器是一個(gè)物理的阻擋板，它類(lèi)似于具有圓的或六邊孔的蜂巢。為了電中和，將其接地。以任何角度到達(dá)準(zhǔn)直器的原子在其側(cè)壁被俘獲，而垂直角度的愿子繼續(xù)到晶圓的表面。準(zhǔn)直器的厚度是原子束準(zhǔn)直度的一個(gè)因子.