在雙大t§士革技術(shù)中提過，隔開兩層金屬的介質(zhì)是二氧化硅然而，對于高性能電路，AD8007AKS-REEL7這種材料存在一個問題。金屬電阻(R)和電容(C)的聯(lián)合作用就會使集成電路的信號變慢，這稱為系統(tǒng)的RC常量。對電容因素的一個主要貢獻(xiàn)是用于隔離金屬層間的材料的介電常數(shù)，該層稱為中間金屬介質(zhì)( IMD)。

   氧化硅的介電常數(shù)（”是3.9左右。根據(jù)SIA的國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖，成功的電路要求矗值低至1.5~ 2.0的范圍內(nèi)。除了介電特性外，IMD還必須有一些化學(xué)和機(jī)械的特性，包括熱穩(wěn)定性（隨后的金屬I藝能帶著原來的膜通過一些高達(dá)450℃的熱過程）、好的刻蝕選擇性、無針孔、對耐受芯片應(yīng)力足夠的適應(yīng)性和與其他工藝的可匹配性。

   人們已經(jīng)開發(fā)了一些低七介質(zhì)材料以滿足ULSI電路的需要。圖13. 15中列出了這些材料及其介電常數(shù)，主要分類是氧化硅基材料、有機(jī)基和它們的變種。基于PAE[ poly( alylene)thers]或HOSP( hydrido-organic siloxane polymers)的有機(jī)材料具有可以旋轉(zhuǎn)涂敷(spin-on)的優(yōu)勢旋轉(zhuǎn)涂敷工藝提供_『優(yōu)異的均勻性和平坦性，并比CVD工藝成本更低：