二次離子質(zhì)譜法( SIMS)基本七是一種離子銑和二次離子檢測方法。 IRF1405PBF離子集中轟擊樣品表面并除去一個薄層。二次離子則由被去陳薄層的晶圓材料及其中的摻雜原子產(chǎn)生。這些離子被收集和分析，并用來計算每層摻雜雜質(zhì)的數(shù)量，它接下來可以構(gòu)造雜質(zhì)的形貌圖L2。

  光學地光學反射模式（熱波）

   熱波是為測量低劑量離子注入摻雜量的一種技術的通稱。一一束氬激光（1¨m直徑的點）加熱晶圓表面的一個很小的區(qū)域引起硅的體積增大。體積變化依次改變表面的光學性質(zhì)，通過第二束激光探測它。光學性質(zhì)的變化來自于注入雜質(zhì)的種類和注入量.

  物理測試方法

   產(chǎn)品的可靠性和良品率的保持都要求對缺陷和錯誤等進行在線檢測，以消除線j二的町疑材料。工藝控制要求在每一個r：藝步驟上測量工藝結(jié)果，并且了解各種缺陷的數(shù)量、密度、位置和性質(zhì)。這些數(shù)據(jù)來源于一系列與電路復雜性，比如圖形尺寸、污敏感度和電路密度相關的測試和評估。

   這些測試在測試晶圓上或直接在產(chǎn)品晶圓上進行。產(chǎn)品晶圓的測試要求通過斜面技術使下層表面結(jié)構(gòu)暴露出來，或用微切或聚焦離子束( FIB)去除電路的一部分。