動態(tài)隨機存儲器：動態(tài)隨機存儲器( DRAM)一詞基于兩種主要的設(shè)計：動態(tài)和IR3086AMPBF靜態(tài)（見圖17.9）。動態(tài)存儲器稱為DRAM或動態(tài)RAM，在計算機存儲器中大量使用。存儲單元設(shè)計的基礎(chǔ)僅僅是一個晶體管和一個小電容器（見圖17. 10）。通過在電容器里加入電荷來存儲信息、，遺憾的是，電荷會很快漏掉。要解決這個問題，存儲的信息必須連續(xù)地蠶復(fù)輸入電路，這個功能稱為刷新( refresh)。電路每秒要刷新上千次。動態(tài)RAM在電源丟失和中斷、刷新出現(xiàn)故障時極易受影響。

   DRAM設(shè)計的目標(biāo)是高密度和緊湊的空間器件的小單元，為了提高速度，器件組成要小薄，這些需求將DRAM設(shè)計和工藝推向最高的技術(shù)水平。通過先進的、現(xiàn)代的設(shè)備和工藝應(yīng)用于DRAM電路中，所有的優(yōu)勢都能獲得。這種現(xiàn)實情況使它們成為產(chǎn)業(yè)中的引領(lǐng)電路.

   靜態(tài)隨機存儲器：靜態(tài)隨機存儲器( SRAM)是基于不需要刷新功能的單元設(shè)計的。一日信息輸入芯片，只要電源保持打開狀態(tài)將一直保留。這一性能由一個包含幾個晶體管和電容的單元來完成（見圖17.11）。信息按照晶體管交替開、關(guān)的條件進行存儲。信息在SRAM單元上的讀寫速度比RAM的設(shè)計要快，這是因為晶體管的開關(guān)比電容器的充放電快得多，為了降低這種易失性和提高速度，代價是損失空間，它使靜態(tài)存儲器的密度比DRAM要小。