存儲器的容量由能夠存儲的位的數(shù)量進行測量，一個lKb的RAM有1024個信息位的容量，1024是2的10次冪。1個64 Kb RAM賓

際上有65 536個信息位的容量。IR3088AMTR采用現(xiàn)有技術(shù)，更大的兆位級存儲器（64和更高）將會大量生產(chǎn)。RAM容量增長的每一步都給晶圓工藝和良品率的提高造成了巨大的壓力。以1977年IBM生產(chǎn)的64 Kb RAM作為半導(dǎo)體經(jīng)營情況為例，芯片不久就出現(xiàn)在批發(fā)市場上，每個電路WL價格超過1 00美元。到1985年前，競爭和良品率的提高已經(jīng)使它的價格降到每個電路不到1美元。

    圖17. 11  靜態(tài)RAM的結(jié)構(gòu)

   鐵電存儲器( FERAM)：鐵電材料（見第1 6章）在電容器中的使用使存儲器比普通的SiCMOS技術(shù)的電容器速度更快|2。。它面臨的挑戰(zhàn)是把這一非硅技術(shù)同標(biāo)準(zhǔn)硅r藝集成為一體。