亮場掩模版
發(fā)布時間:2015/11/17 19:08:15 訪問次數(shù):1033
亮場掩模版( clear field mask):-種掩模版,其上的圖形由不透明區(qū)域決定。DG412DY集簇設(shè)備( cluster tool):幾個I:藝機(jī)臺或設(shè)備共用同一加載一卸載室和晶圓傳送系統(tǒng),互補(bǔ)型場效應(yīng)晶體管( CMOS):N型和P型溝道MOS晶體管在同一芯片卜^、集電極( collector):與基區(qū)和發(fā)射區(qū)一起作為雙極型晶體管的重要區(qū)域,平行光束( collimated light):光線平行的光束,用于表面觀察.復(fù)合圖( composite drawing):最終電路的比例繪圖。電導(dǎo)性( conductivity):材料傳導(dǎo)電荷的能力(電導(dǎo)率以西門子為單位,電阻以歐姆為單位)導(dǎo)體( conductor):具有低電阻和高電導(dǎo)率的材料。接觸( contact):任金屬化過程中被重新覆蓋暴露的硅區(qū)域,形成到器件的電通路.接觸式光刻機(jī)( contact aligner):一種對準(zhǔn)設(shè)備,在光刻膠曝光前將晶圓和模板夾緊接觸接觸式掩模版( contact mask):在晶圓表面層七開孔,以允許金屬層達(dá)到摻雜硅的襯底污染物( contamination):通用術(shù)語,用來描述任何不期望有的材料.對半導(dǎo)體晶圓的物理和電學(xué)特性均有不良影響。
銅(Cu):用于連接芯片表面1--半導(dǎo)體器件的金屬。一般在雙大馬上草圖形化-T藝中使用關(guān)鍵尺寸(CD):關(guān)鍵電路圖形的線寬、間距寬度以及接觸區(qū)的尺寸,.
低溫泵(cryogenic pump):一種真空泵。可以提供10。10托的真空,同太率的真'率水f相M無須前級泵或冷阱,并且比其他類型的泵更快。
低溫晶圓清洗( cryogenic wafer cleaning):使用“雪態(tài)”(SNOW)高壓二氧化碳(C()!)清洗F玉 圓表面的技術(shù)。
晶體(cr}tstal):原子有序排列的材料,其結(jié)構(gòu)化的單元稱為晶胞.晶體缺陷( crystal defect):晶體中的窄位和錯位,會影響電路的電性能晶向( cr}tstal orientation):主晶面的法向,用密勒指數(shù)表示、、晶面( cr}tstal planes):半導(dǎo)體品格結(jié)構(gòu)中的平面。芯片必須沿著該平面排列,以防止當(dāng)晶吲被分割成單個芯片時出現(xiàn)“粗糙”的芯片邊緣.
亮場掩模版( clear field mask):-種掩模版,其上的圖形由不透明區(qū)域決定。DG412DY集簇設(shè)備( cluster tool):幾個I:藝機(jī)臺或設(shè)備共用同一加載一卸載室和晶圓傳送系統(tǒng),互補(bǔ)型場效應(yīng)晶體管( CMOS):N型和P型溝道MOS晶體管在同一芯片卜^、集電極( collector):與基區(qū)和發(fā)射區(qū)一起作為雙極型晶體管的重要區(qū)域,平行光束( collimated light):光線平行的光束,用于表面觀察.復(fù)合圖( composite drawing):最終電路的比例繪圖。電導(dǎo)性( conductivity):材料傳導(dǎo)電荷的能力(電導(dǎo)率以西門子為單位,電阻以歐姆為單位)導(dǎo)體( conductor):具有低電阻和高電導(dǎo)率的材料。接觸( contact):任金屬化過程中被重新覆蓋暴露的硅區(qū)域,形成到器件的電通路.接觸式光刻機(jī)( contact aligner):一種對準(zhǔn)設(shè)備,在光刻膠曝光前將晶圓和模板夾緊接觸接觸式掩模版( contact mask):在晶圓表面層七開孔,以允許金屬層達(dá)到摻雜硅的襯底污染物( contamination):通用術(shù)語,用來描述任何不期望有的材料.對半導(dǎo)體晶圓的物理和電學(xué)特性均有不良影響。
銅(Cu):用于連接芯片表面1--半導(dǎo)體器件的金屬。一般在雙大馬上草圖形化-T藝中使用關(guān)鍵尺寸(CD):關(guān)鍵電路圖形的線寬、間距寬度以及接觸區(qū)的尺寸,.
低溫泵(cryogenic pump):一種真空泵?梢蕴峁10。10托的真空,同太率的真'率水f相M無須前級泵或冷阱,并且比其他類型的泵更快。
低溫晶圓清洗( cryogenic wafer cleaning):使用“雪態(tài)”(SNOW)高壓二氧化碳(C()!)清洗F玉 圓表面的技術(shù)。
晶體(cr}tstal):原子有序排列的材料,其結(jié)構(gòu)化的單元稱為晶胞.晶體缺陷( crystal defect):晶體中的窄位和錯位,會影響電路的電性能晶向( cr}tstal orientation):主晶面的法向,用密勒指數(shù)表示、、晶面( cr}tstal planes):半導(dǎo)體品格結(jié)構(gòu)中的平面。芯片必須沿著該平面排列,以防止當(dāng)晶吲被分割成單個芯片時出現(xiàn)“粗糙”的芯片邊緣.
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