塑料制成的晶圓承載器，用于濕DG212BDJ法清洗過程，推舟器( boat puller)：一種將載有晶圓的舟以固定速度推進(jìn)或拉出爐子的機(jī)械裝置BOE:參見緩沖氧化刻蝕。壓焊點(diǎn)( bonding pad)：芯片上的電極（通常在周邊），用來與封裝體的電系統(tǒng)連接。硼(B)：P型摻雜物在標(biāo)準(zhǔn)雙極型集成電路工藝中用來做隔離區(qū)和基區(qū)擴(kuò)散？

   三氯化硼( BCI3)：氣體，經(jīng)常用未向硅中摻硼。

   起泡器( bubbler)：一種裝置，使其內(nèi)部輸運(yùn)氣體的“冒泡”通過某種熱液體，將部分液體攜帶走  例如，某種輸運(yùn)氣體（氮?dú)饣蜓鯕猓┟芭萃ㄟ^98℃~ 99℃的去離子水，到達(dá)氧化管，緩沖氧化物刻蝕( buffered oxide etch)：-種氟化氫(HF)和氟化氨(NH。F)的混合物，用來使氧化物的刻蝕以緩慢、受控的速度進(jìn)行。

凸點(diǎn)／焊球連接技術(shù)( bump/ball connection technology)：-種在壓焊點(diǎn)卜形成的金屬￡b點(diǎn)或焊球結(jié)構(gòu)，使芯片到封裝體的連接通過芯片翻轉(zhuǎn)形成。

   埋層( buried layer)：在生長外延層之前在P型襯底上的N+擴(kuò)散。掩埋層為流向器件的電流提供r一條低電阻的通路，  一般掩埋層摻雜物為銻和砷。

   封罐( can)：一種金屬封裝，用來將芯片通過3—5個管腿連接到印制電路板h電容器( capacitor)：一一種分立器件，將電荷儲存在有介質(zhì)分隔的兩個導(dǎo)體卜電容( capacitance)：電荷儲存的能力。

電容~電壓圖（C-V圖）：一種可以提供關(guān)于在氧化層中可動離子雜質(zhì)量的信息的繪圖i承載氣體( carrier gas)：惰性氣體，可以將一種所需物質(zhì)的原子或分子輸運(yùn)到反庇室中、載流子激發(fā)結(jié)深探測（carrier illumination junction detection）：一種通過載流子電荷在由激光束入射的結(jié)邊的積累，確定結(jié)深的非破壞性系統(tǒng)。厘斯托克( centistoke)：黏度測量單位，動力黏度單位厘泊(centipoise)除以密度。

   溝道( channel)：半導(dǎo)體中的一個狹窄區(qū)域來支持導(dǎo)電。溝道可以在表面或體內(nèi)形成，對MOSFF  IT和SIGFF.T的性能都很關(guān)鍵。如果溝道不是電路設(shè)計的一部分，其存在會體現(xiàn)町能的污染問題或是隔離不完全問題。

   隧道效應(yīng)( channeling)：-種離子束穿透并進(jìn)入晶圓晶體平面的現(xiàn)象。通過“偏離晶向”切割品圓可以防止隧道效應(yīng)的產(chǎn)生，其效果是使晶面相對離子束的方向傾電荷載流子( charge carrier)：固體器件的晶體中電荷的載體，如電子或窄穴，化學(xué)刻蝕( chemical etching)：通過液體反應(yīng)物有選擇地去除某種材料。刻蝕的精確度由刎蝕液的溫度、浸入時間及酸性腐蝕液的成分來控制。

   化學(xué)機(jī)械拋光( CMP)：一種使晶體平坦和拋光的工藝。將化學(xué)去除和機(jī)械拋光結(jié)合到一起，用于晶體生長后的晶圓磨平拋光和晶圓制造工藝過程中的平垣化。