雖然某些發(fā)光二極管材料的內量子效率很高，接近100%，但外量子效率卻很低。主要原因是所用半導體材料的折射率較高。如GaAs的折射率行為3.6，NE32184A其臨界角很小，大部分輻射光都以大于臨界角的角度照射到材料與空氣的界面上，它們幾乎全部被反射回去，故光能損失很大。

   對于非顯示用的而在光電檢測技術中用的發(fā)光二極管，則用功率效率和光學效率來描述更為合適。功率效率表示器件將輸入的電功率P轉換成輻射功率痧。的效率，即

   77p=(e／P)×100%    (2.7)

    伏安特性和發(fā)光亮度與電流關系。發(fā)光二極管的伏安特性（電流一電壓特性）曲線和普通的二極管相似。對于正向特性，電壓在開啟點以前幾乎沒有電流；電壓超過開啟點就顯示出歐姆導通特性，這時正向電流，與