電子倍增CCD成像器件(Electron Multiplying CCD，EMCCD)繼承了CCD器件優(yōu)點， R5F21152SP并具有與ICCD相近的靈敏度。EMCCD芯片中具有一個位于CCD芯片的轉(zhuǎn)移寄存器和輸出放大器之間的特殊的增益寄存器，如圖7.32所示。增益寄存器的結(jié)構(gòu)和一般的CCD類似，只是電子轉(zhuǎn)移第二階段的勢阱被一對電極取代，如圖7.33所示，第一個電極上為固定值電壓，第二個電極按標準時鐘頻率加上一個高電壓(40～50 V)。通過兩個電極之間高電壓差形成對待轉(zhuǎn)移信號電子的沖擊電離形成新的電子。盡管每次電離能夠增加的新電子數(shù)日并不多，但通過多次電離，就可將電子的數(shù)目大大提高。目前每次電離后電子的數(shù)目大約是原來的1.015倍，如果通過591次倍增后，電子數(shù)目是原先的6630倍。由于大幅提高了輸出信號的強度，使得CCD固有的讀出噪聲對于系統(tǒng)的影響減小。EMCCD具有很高的信噪比，且具有比ICCD更好的空間分辨率，輸出圖像的質(zhì)量也更好，但目前還沒有得到廣1泛的應(yīng)用。