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電離效應(yīng)倍增電子示意圖

發(fā)布時(shí)間:2016/1/30 22:52:26 訪問次數(shù):704

   自掃描光電二極管陣列( SSPD)又稱為MOS型圖像探測器,它的自掃描電路由MOS移位寄存器構(gòu)成。 R5F21162SP根據(jù)像元的排列形狀不同,它又分為線陣列和面陣列兩種。線陣列如不另加掃描機(jī)構(gòu),則只能對移位的光強(qiáng)分布進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換。但由于它的成本低,且許多被測對象本身在運(yùn)動(dòng)中,自然形成另一維掃描,故在機(jī)器視覺檢測方面用量很大。面陣列可以直接對二雛圖像進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換。

   線陣的結(jié)構(gòu)

   圖7.34是一種再充電采樣的SSPD線陣電路框圖,它主要由三部分組成。

   圖7.34  SSPD線陣電路框圖


   ①Ⅳ個(gè)形狀和大小完全相同的光電二極管,每個(gè)二極管有相同存儲(chǔ)電容Cd,用半導(dǎo)體集成電路技術(shù)在硅片上把它們等間距地排成一條直線,稱為線陣列。所有二極管的負(fù)極連在一起,組成公共端COM。圖中Ⅳ為陣列的位數(shù)(像元數(shù))。

   ②Ⅳ位多路開關(guān),由CMOS場效應(yīng)晶體管(FET) (VT1~VTN)組成,每個(gè)FET的源極分別與相應(yīng)的二極管正極相連,而所有的漏極連在一起,組成視頻輸出線V。

   ③Ⅳ位MOS動(dòng)態(tài)移位寄存器,做掃描電路用。移位寄存器每一位的輸出el~eN與對應(yīng)的MOS開關(guān)的柵極相連。給移位寄存器加上兩相互補(bǔ)的時(shí)鐘脈沖嘲和曉,用一個(gè)周期性的起始脈沖S引導(dǎo)每次掃描的開始,移位寄存器就產(chǎn)生依次延遲一拍的采樣脈沖,使多路開關(guān)VTI~VTN按順序閉合、斷開,從而把1~Ⅳ位二極管.七的光電信號從視頻線上串行輸出,這就是所謂的“自掃描”功能。


          

   自掃描光電二極管陣列( SSPD)又稱為MOS型圖像探測器,它的自掃描電路由MOS移位寄存器構(gòu)成。 R5F21162SP根據(jù)像元的排列形狀不同,它又分為線陣列和面陣列兩種。線陣列如不另加掃描機(jī)構(gòu),則只能對移位的光強(qiáng)分布進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換。但由于它的成本低,且許多被測對象本身在運(yùn)動(dòng)中,自然形成另一維掃描,故在機(jī)器視覺檢測方面用量很大。面陣列可以直接對二雛圖像進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換。

   線陣的結(jié)構(gòu)

   圖7.34是一種再充電采樣的SSPD線陣電路框圖,它主要由三部分組成。

   圖7.34  SSPD線陣電路框圖


   ①Ⅳ個(gè)形狀和大小完全相同的光電二極管,每個(gè)二極管有相同存儲(chǔ)電容Cd,用半導(dǎo)體集成電路技術(shù)在硅片上把它們等間距地排成一條直線,稱為線陣列。所有二極管的負(fù)極連在一起,組成公共端COM。圖中Ⅳ為陣列的位數(shù)(像元數(shù))。

   ②Ⅳ位多路開關(guān),由CMOS場效應(yīng)晶體管(FET) (VT1~VTN)組成,每個(gè)FET的源極分別與相應(yīng)的二極管正極相連,而所有的漏極連在一起,組成視頻輸出線V。

   ③Ⅳ位MOS動(dòng)態(tài)移位寄存器,做掃描電路用。移位寄存器每一位的輸出el~eN與對應(yīng)的MOS開關(guān)的柵極相連。給移位寄存器加上兩相互補(bǔ)的時(shí)鐘脈沖嘲和曉,用一個(gè)周期性的起始脈沖S引導(dǎo)每次掃描的開始,移位寄存器就產(chǎn)生依次延遲一拍的采樣脈沖,使多路開關(guān)VTI~VTN按順序閉合、斷開,從而把1~Ⅳ位二極管.七的光電信號從視頻線上串行輸出,這就是所謂的“自掃描”功能。


          

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