設(shè)置好上述參數(shù)， DAC7802KP繼續(xù)按3.1節(jié)介紹的步驟完成DC分析，其分析結(jié)果全部自動(dòng)存入以DAT為擴(kuò)展名的PROBE數(shù)據(jù)文件。這時(shí)只要按第5章介紹的方法調(diào)用Probe模塊，就可以觀察不同輸出量的波形情況。

   如果用戶需要，也可以按照第7章介紹的方法將結(jié)果存入OUT輸出文件。

   例1：MOS晶體管輸出特性分析

   圖3-12為分祈MOS晶體管輸出特性的電路圖。分析時(shí)選擇電壓源VD為自變量，VG為參變量，其參數(shù)設(shè)置值要求如表3-2所示。按照表3-2所示參數(shù)設(shè)置值要求，完成DC分析后，用Probe

顯示的分析結(jié)果如圖3-13所示。圖3. 12  MOS晶體管電路    圖3-13輸出特性和負(fù)載線表3-2 MOS晶體管DC掃描分析參數(shù)設(shè)置

   圖3-13中除顯示有輸出特性曲線簇以外，還疊加有一條負(fù)載為125kQ的負(fù)載線。該負(fù)載線對(duì)應(yīng)于在Probe中增加顯示由下述表達(dá)式確定的直線：(5V-VD)/125k。