熱載流子主要為熱電子，RFM04U6P所以N溝道MOS器件的熱載流子效應比P溝道的要明顯。文獻報道：對深亞微米器件，有效溝道長度縮短到0. 15ym，VDS降至1.8V時仍發(fā)生熱載流子效應，此時PMOS的熱載流子效應變礙明顯起來。

   熱電子的來源一般分為襯底熱電子和溝道熱電子兩類，它對應于器件不同的工作狀態(tài)。當VD與Vs接地，VcS>0，VBS<0（B為襯底）時，主要產(chǎn)生襯底熱電子，它起源于漏電電流。當襯底摻雜濃度增加，襯底負電壓增大及溝道長寬比很大時，都使襯底熱電子效應顯著。如果V GS一VDS，VBS<0，主要是溝道熱電子效應，此時注入?yún)^(qū)主要發(fā)生在漏結(jié)附近，與襯底熱電子基本上從柵下均勻注入不同，所以是V DS控溝道熱電子注入量。當漏電壓一定時，VT與工。。。隨VGS變化的情況如圖4.7a所示，可見當VGS是VDS的一半左右時，VT與，。。。均達到最大值。這是因為此時漏極附近形成高電場區(qū)，載流子一進入該區(qū)，就從電場獲得高的能量而成為熱載流子。另外，漏極附近熱載流子的運動因碰撞電離而產(chǎn)生電子一空穴對。產(chǎn)生的多數(shù)空穴流向襯底，形部分空穴隨著漏極向柵極正向電場的形成而注入氧化層中，這樣電子和空穴兩種熱載流子都注入Si02，將引起器件特性的很大變動，這時的條件叫雪崩熱載流子條件，其情況如圖4. 7b所示。