熱載流子效應的原因在于氧化層中注入電荷及界面態(tài)的產(chǎn)生，它使器件的VT漂移。RFPA0133減少及亞閾值電流擺幅漂移，即引起器件性能退化。如果用△V，來表征界面陷阱產(chǎn)生情況，若將VT的漂移量達lOmV時所經(jīng)歷的時間定義為對應于產(chǎn)生一定量界面態(tài)所需的應力時間r，則器件壽命與測得的漏電流I，C是常數(shù)，W為溝道寬度．是溝道電子產(chǎn)生界面陷阱所需能量，約3. 5eV，仍是碰撞離化所需最低能量，約1.3eV。因此，在不同時期測定Id及J，就可估計熱載流子退化對壽命r的影響。

   實際上MOS器件的退化是不均勻的，N溝道MOS管的退化主要發(fā)生在漏極附近的高電場區(qū)，對非均勻氯化層電荷和界面陷阱分布的溝道，閾值電壓的物理意義已經(jīng)不夠確切。而且當器件工作在低柵壓區(qū)(VG�！禫 DS/2)及接近VDS時，閾值電壓的漂移非常小，這是由于氧化層中俘獲電荷屏蔽了界面陷阱效應的緣故。如果將AICP達到一定數(shù)量（如lpA]弘m溝道寬）所需應力時間作為壽命r的定義，則可得到與上述Tld～I。。b/ld之間的類似關系。但用于熱載流子退化的壽命預計尚有一些問題，有待進一步研究。