(1)干膜成像法

   干膜(P⒒Ⅲ呷Dγ∏lm)的構(gòu)成:聚酯蓋膜(Polycstcr)+感光抗蝕膜(Pllotorcsist co碰hg)+聚乙烯隔膜(Polycthylcnc,PE)。

   (2)涉及工序

   ①貼膜(干式貼膜和濕式貼膜)。

   貼膜前銅面處理(噴砂研磨法――火山巖粉末、化學(xué)前處理法――過(guò)硫酸鈉微蝕、機(jī)械HD6437042E14F研磨法――灰色尼龍刷各有優(yōu)缺點(diǎn)),去除銅面油脂、氧化層、灰塵顆粒殘留、水分(特別是孔內(nèi))、化學(xué)物質(zhì)(特別是堿性物質(zhì))。

   濕式貼膜能改善貼膜效果,但僅能適用于未鉆孔的內(nèi)層板面電路制作;傳統(tǒng)水溶性干膜也不適用于濕式貼膜法(膠渣現(xiàn)象);氧化銅面的疏水性和干凈銅面的親水性決定濕式貼膜設(shè)計(jì)中,銅面濕潤(rùn)后必須馬上貼膜。

   ②曝光。

   曝光的作用是曝光機(jī)的紫外線通過(guò)底片使菲林上部分圖形感光,從而使圖形轉(zhuǎn)移到銅板上,如圖610所示。

   ③顯影。通過(guò)藥水碳酸鈉的作用,將未曝光部分的干膜溶解并沖洗后,留下感光的部分,有垂直顯影和水平顯影兩種。

   ④蝕刻。蝕刻是將未曝光的露銅部分銅面蝕刻掉。

   ⑤剝膜。剝膜是通過(guò)NaoH將保護(hù)線路銅面的菲林去掉。曝光后干膜屬于聚酯類高分子化合物,具有羧基(―COOH)的長(zhǎng)鏈立體網(wǎng)結(jié)構(gòu)。與NaoH或?qū)Ｓ猛四にl(fā)生皂化反應(yīng),長(zhǎng)鏈網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)斷裂,產(chǎn)生皂化反應(yīng)。在高壓作用下,斷裂后的碎片被剝離銅面。