在50多年的發(fā)展過程中,世界集成AD8403ARZ10電路產(chǎn)業(yè)為了適應(yīng)技術(shù)的發(fā)展和市場需求,其產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)經(jīng)歷了3個主要階段。

   第一個階段:1960年前后,隨著平面工藝的發(fā)展,加上表面態(tài)問題得到了有效控制,以及實(shí)現(xiàn)了對器件結(jié)構(gòu)尺寸的精確控制,表面和結(jié)型場效應(yīng)器件獲得應(yīng)用。

   美國貝爾實(shí)驗(yàn)室的Kahng及Atalla成功研制出第一只MOsFET,通過在氧化層表面上沉積一層極小的鋁層,稱為柵極,實(shí)現(xiàn)了電流的控制。⒛世紀(jì)⒛年代早期,主要器件為P溝道鋁柵MOsFET。由于無法控制鈉離子的污染,N溝道鋁柵MOsFET的閾值電壓較大,為常開型(耗盡型)器件,很難得到增強(qiáng)型N溝道MOSFET,因而應(yīng)用上受到很大限制。這一時期是以加工制造為主的初級階段,IC設(shè)計(jì)和半導(dǎo)體工藝密切相關(guān),主要以人工為主。

   第二個階段:20世紀(jì)80年代,自對準(zhǔn)多晶硅柵互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(CMOs)工藝得到應(yīng)用。由于采用了自對準(zhǔn)工藝,導(dǎo)致寄生電容非常小,并且改善了器件的可靠性。隨著工藝和設(shè)計(jì)復(fù)雜度的日益增加,工藝與設(shè)計(jì)逐步分離,Foundry線(標(biāo)準(zhǔn)工藝加工線)公司與IC設(shè)計(jì)公司開始崛起。1980年,美國加州理工學(xué)院的Mead和Conway出版了《In“oduction to VLsI system》一書。書中提出了以“λ設(shè)計(jì)規(guī)則”和“等比例縮小”定律為主要內(nèi)容的IC設(shè)計(jì)與工藝制作相對獨(dú)立的思想。此外,這一時期IC CAD技術(shù)也發(fā)展到一個新的階段,能為設(shè)計(jì)提供方便的原理圖編輯、仿真驗(yàn)證和版圖自動布局布線等功能。