前工序包括:(1)薄膜制各工藝,包括氧化、外延、化學(xué)氣相沉積、蒸發(fā)、濺射;(2)摻雜工藝,S606C-50包括離子注入和擴(kuò)散;(3)圖形加工技術(shù),包括制版和光刻。

   后工序包括:中間測(cè)試、劃片、貼片、焊接、封裝和成品測(cè)試。

輔助工序包括:(1)超凈環(huán)境的制備:(2)高純水、氣的制備;(3)材料準(zhǔn)備,包括制備單晶、切片、磨片、拋光等工序,制成IC生產(chǎn)所需要的單晶圓片。氧化工藝是指生成so2薄膜的工藝。摻雜工藝是指在半導(dǎo)體基片的一定區(qū)域摻入一定濃度的雜質(zhì)元素,形成不同類型的半導(dǎo)體層,來(lái)制作各種器件,包括擴(kuò)散工藝和離子注入工藝兩種摻雜方法。光刻工藝是指借助于掩膜版,并利用光敏的光刻膠涂層發(fā)生光化學(xué)反應(yīng),結(jié)合刻蝕方法在各種薄膜上(如S⒑2薄膜、多晶硅薄膜和各種金屬膜)刻蝕出各種所需要的圖形,實(shí)現(xiàn)掩膜版圖形到硅片表面各種薄膜上圖形的轉(zhuǎn)移。硅片從起始到完成的過(guò)程如圖2.3所示。