擴(kuò)散是一種基本的摻雜技術(shù)。通過擴(kuò)AD7892BNZ-3散將一定種類和一定數(shù)量的雜質(zhì)摻入到硅片或其他晶體中,以改變其電學(xué)性質(zhì)。摻雜可形成雙極器件的基區(qū)、發(fā)射區(qū)和集電區(qū),MOS器件的源區(qū)與漏區(qū),以及擴(kuò)散電阻、互連引線、多晶硅電極等。

   在硅中摻入少量Ⅲ族元素可獲得P型半導(dǎo)體,摻入少量V族元素可獲得N型半導(dǎo)體。摻雜的濃度范圍為1014~1021cm3,而硅的原子密度是5×1022cm3,所以摻雜濃度為1017cm3時(shí),相當(dāng)于在硅中僅摻入了百萬分之幾的雜質(zhì)。

   P型半導(dǎo)體中摻入的雜質(zhì)為硼或其他的三價(jià)元素,硼原子在取代原晶體結(jié)構(gòu)中 的原子并構(gòu)成共價(jià)鍵時(shí),將因缺少一個(gè)價(jià)電子而形成一個(gè)空穴,于是半導(dǎo)體中的空穴數(shù)目大量增加,空穴成為多數(shù)載流子,自由電子則成為少數(shù)載流子。