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Al中摻入少量的si

發(fā)布時間:2016/6/14 20:47:05 訪問次數(shù):1029

    在純Al中加入少量的si形成Alsi合金材料,一般為1%(質(zhì)量比),可以在很 大程度上解決Al尖刺現(xiàn)象。EL5367IU但是它將引入另一個問題,就是Si的析出問題。即在合金退火過程中,一部分Si會溶解到A1中直至飽和,而剩余的Si將會以微粒的形式存在于Al中,冷卻時,這些微粒⒏會成為析出沉積Si的核,并逐步增大成為一個個si單晶的結(jié)瘤。這會使結(jié)接觸電阻增大,另一方面會使鍵合變得困難。這就迫使人們?nèi)ふ倚碌慕饘倩Y(jié)構(gòu)。

   A丨-阻擋層結(jié)構(gòu)

   現(xiàn)在普遍使用的結(jié)構(gòu)為△/TiN/Al,△用做黏附層及接觸之用。在高溫下,△與si會形成一層電阻率極低的⒎si2。TiN起阻擋層用,它可有效地阻止Aysi間的互溶,防止了結(jié)穿通的發(fā)生。



    在純Al中加入少量的si形成Alsi合金材料,一般為1%(質(zhì)量比),可以在很 大程度上解決Al尖刺現(xiàn)象。EL5367IU但是它將引入另一個問題,就是Si的析出問題。即在合金退火過程中,一部分Si會溶解到A1中直至飽和,而剩余的Si將會以微粒的形式存在于Al中,冷卻時,這些微粒⒏會成為析出沉積Si的核,并逐步增大成為一個個si單晶的結(jié)瘤。這會使結(jié)接觸電阻增大,另一方面會使鍵合變得困難。這就迫使人們?nèi)ふ倚碌慕饘倩Y(jié)構(gòu)。

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   現(xiàn)在普遍使用的結(jié)構(gòu)為△/TiN/Al,△用做黏附層及接觸之用。在高溫下,△與si會形成一層電阻率極低的⒎si2。TiN起阻擋層用,它可有效地阻止Aysi間的互溶,防止了結(jié)穿通的發(fā)生。



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