摻雜的目的是形成特定導電能力的材料區(qū)域,包括N型或P型半導體層和絕緣層,AD7892BR-2REEL7是制作各種半導體器件和IC的基本工藝。經過摻雜,原材料的部分原子被雜質原子代替。材料的導電類型決定于雜質的化合價。摻雜可與外延生長同時進行,也可在其后。例如,雙極型硅IC的摻雜過程主要在外延之后,而大多數GaAs及InP器件和C的摻雜與外延同時進行。

   擴散和離子注入是半導體摻雜的兩種主要工藝,兩者都被用來制作分立器件與集成電路,互補不足,相得益彰。擴散是較早時期采用的摻雜工藝,并沿用至今,而離子注入是20世紀60年代后發(fā)展起來的一種在很多方面都優(yōu)于擴散的摻雜工藝。離子注入工藝大大推動了集成電路的發(fā)展,使集成電路的生產進入超大規(guī)模時代,是應用最廣泛的主流摻雜工藝。

   擴散必須同時具備兩個條件:

   (l)擴散的粒子存在濃度梯度。一種材料的濃度必須要高于另外一種材料的濃度,擴散才能進行。

   (2)一定的溫度。系統(tǒng)內部必須有足夠的能量使高濃度的材料進入或通過另一種材料。