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方塊電阻的測量

發(fā)布時間:2016/6/12 21:38:31 訪問次數(shù):1136

   方塊電阻的測量。擴散后A3242LUA要測量方塊電阻,檢驗雜質濃度的控制情況。測量方塊電阻通常采用四探針法,如圖2.10所示。

   其中,/為內側探針的電位差,即電位差計的讀數(shù)(mV);J為外側探針的電流值(mA)。由于被測樣品的形狀、大小、探針間距等都不同,所以要對結果進行修正,Κ為修正因子。修正因子可以從表2.7中查得,表中給出了圓形、正方形、長方形樣品的修正因子。其中,s是探針間距,D是圓形樣品的直徑,歹為垂直探針列的一邊長,L為平行探針列的一邊長。

    

   在相鄰兩端加電流,測另外兩端的電壓,一共可測出四組值,然后再用電壓除以電流即可得到薄層的電阻值,即Rf(/12/f34+殤3/J。1+‰o/J1廣‰1%3)抑,用微電子測試圖形測量薄層的方塊電阻時,為了方便起見,都采用對稱的圖形結構和電極


   方塊電阻的測量。擴散后A3242LUA要測量方塊電阻,檢驗雜質濃度的控制情況。測量方塊電阻通常采用四探針法,如圖2.10所示。

   其中,/為內側探針的電位差,即電位差計的讀數(shù)(mV);J為外側探針的電流值(mA)。由于被測樣品的形狀、大小、探針間距等都不同,所以要對結果進行修正,Κ為修正因子。修正因子可以從表2.7中查得,表中給出了圓形、正方形、長方形樣品的修正因子。其中,s是探針間距,D是圓形樣品的直徑,歹為垂直探針列的一邊長,L為平行探針列的一邊長。

    

   在相鄰兩端加電流,測另外兩端的電壓,一共可測出四組值,然后再用電壓除以電流即可得到薄層的電阻值,即Rf(/12/f34+殤3/J。1+‰o/J1廣‰1%3)抑,用微電子測試圖形測量薄層的方塊電阻時,為了方便起見,都采用對稱的圖形結構和電極


相關技術資料
6-12方塊電阻的測量
相關IC型號
A3242LUA
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