通常用做阻擋層的金屬是具有高熔點的難熔金屬。在硅工 EL5371IUZ藝中,用于多層金屬化的普通難熔金屬有△、W、%、Mo、Co及Pt。用△作為阻擋層的優(yōu)點是增強鋁合金連線的附著,減小接觸電阻,減小應力以及控制電遷移。為了得到好的阻擋層特性,在沉積之前,硅片在其空腔經(jīng)歷了消除硅片上的自然氧化層和氧化物殘留物等清理步驟(稱為反濺射刻蝕)。

   ⒎W和TiN是兩種普通的阻擋層金屬材料,它們用于阻擋硅襯底和鋁之間的擴散�！鱊也被廣泛用做鋁層上的抗反射涂層以改進光刻確定圖形的過程,在鎢塞的制作過程中,△N還可以用來作為鎢的黏附層。然而TiN和硅之間的接觸電阻不小。為了解決這個問題,△N被沉積之前,一薄層△(幾百�；蚋�)被沉積,這層△能與下層的硅材料反應形成低阻的化合物△Si2,因此,△與si的界面可以形成良好的歐姆接觸。這在一種稱為“自對準金屬硅化物”(self-AⅡgncd⒍licide)的工藝中可以得到很好的實現(xiàn)。在熱Al工藝中,π膜還可作為濕潤層,有利于Al膜的流動,防止空洞的產(chǎn)生,而且△膜可以和N2反應,形成△N。

   阻擋層金屬材料的典型制作方法是在集成設備里沉積△和TiN,以避免氧化物在兩層之間形成,示意圖如圖2.20所示。