電子束曝光的特點(diǎn)
發(fā)布時(shí)間:2016/6/13 21:33:34 訪問(wèn)次數(shù):1568
電子束曝光的特點(diǎn):電子束曝光的精度較高。電子束的斑點(diǎn)可以聚焦得很小,HAT2189WP而且聚焦的景深很深,可用計(jì)算機(jī)控制,精度遠(yuǎn)比肉眼觀察要高。電子束曝光改變光刻圖形十分簡(jiǎn)便,電子束曝光機(jī)是把各次曝光圖形用計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì),改變圖形只要重新編程即可。電子束曝光雖然不需要掩膜版,但電子束曝光設(shè)各復(fù)雜,成本較高。
直接分步重復(fù)曝光有3個(gè)獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):(1)它是通過(guò)縮小投影系統(tǒng)成像的,因而可以提高分辨率,用這種方法曝光,分辨率可達(dá)到1~1.5um;(2)不需要1∶1的精縮掩膜,因而掩膜尺寸大,制作方便,由于使用了縮小透鏡,原版上的塵埃、缺陷也相應(yīng)地縮小,因而減小了原版缺陷的影響;(3)由于采用了逐步對(duì)準(zhǔn)技術(shù)可補(bǔ)償硅片尺寸的變化,提高了對(duì)準(zhǔn)精度,制造投影掩膜版更容易。逐步對(duì)準(zhǔn)的方法也可以降低對(duì)硅片表面平整度的要求。
深紫外光大致定義為180~33Onm間的光譜能量。它進(jìn)一步分為3個(gè)光帶:200^ˇ260nⅡb 260-285nΠb 285'ˇ315nm。
電子束曝光的特點(diǎn):電子束曝光的精度較高。電子束的斑點(diǎn)可以聚焦得很小,HAT2189WP而且聚焦的景深很深,可用計(jì)算機(jī)控制,精度遠(yuǎn)比肉眼觀察要高。電子束曝光改變光刻圖形十分簡(jiǎn)便,電子束曝光機(jī)是把各次曝光圖形用計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì),改變圖形只要重新編程即可。電子束曝光雖然不需要掩膜版,但電子束曝光設(shè)各復(fù)雜,成本較高。
直接分步重復(fù)曝光有3個(gè)獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):(1)它是通過(guò)縮小投影系統(tǒng)成像的,因而可以提高分辨率,用這種方法曝光,分辨率可達(dá)到1~1.5um;(2)不需要1∶1的精縮掩膜,因而掩膜尺寸大,制作方便,由于使用了縮小透鏡,原版上的塵埃、缺陷也相應(yīng)地縮小,因而減小了原版缺陷的影響;(3)由于采用了逐步對(duì)準(zhǔn)技術(shù)可補(bǔ)償硅片尺寸的變化,提高了對(duì)準(zhǔn)精度,制造投影掩膜版更容易。逐步對(duì)準(zhǔn)的方法也可以降低對(duì)硅片表面平整度的要求。
深紫外光大致定義為180~33Onm間的光譜能量。它進(jìn)一步分為3個(gè)光帶:200^ˇ260nⅡb 260-285nΠb 285'ˇ315nm。
上一篇:光刻膠的瀑光方式
上一篇:32nm利22nm的光刻
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 臺(tái)階覆蓋
- EPA區(qū)域
- Al膜的電遷移
- 器件的特征尺寸不斷縮小
- VSM studiO IDE
- 不潤(rùn)濕及反潤(rùn)濕
- 拆包時(shí)注意保護(hù)好包材(包裝材料)的完整性
- 發(fā)展高新技術(shù)必須要有先進(jìn)的儀器儀表作依托
- 電子束曝光的特點(diǎn)
- 阻擋層金屬
推薦技術(shù)資料
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開(kāi)
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門(mén)信號(hào)調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究