3⒛m半節(jié)距仍是光刻成像方案的一個(gè)關(guān)鍵的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。193nm的水浸沒工藝的數(shù)值孔徑有限, HAT2189WP難以充分解決這個(gè)節(jié)距的問題,除非通過雙圖形生成或曝光過程,將密集的節(jié)距分離成為更大的節(jié)距。這樣一來,光刻的成本也將加倍。

   對(duì)”nm半節(jié)距光刻來說,水浸沒193nm掃描器和雙圖形生成方法克服單模光刻缺陷的同時(shí),會(huì)受到極大掩模版誤差增強(qiáng)因子(Mask EⅡor Enhanccmcnt Factor,MEEF)、晶圓線條邊緣粗糙性(Ⅱnc Edgc ROughne“,LER)和設(shè)計(jì)規(guī)則的限制。

    在付出更高成本采用多次曝光工藝后,上述問題能夠部分得到緩解。波長降至13.Snm的遠(yuǎn)紫外線光刻(Ex饣cmc~uV Ⅱthography,EUVL),要比ArF激光的水浸沒式光刻的波長短一個(gè)數(shù)量級(jí),給工業(yè)界帶來了發(fā)展摩爾定律的希望。預(yù)計(jì)在半節(jié)距達(dá)到11nm之前,不需要引入二次曝光。因此,對(duì)設(shè)計(jì)規(guī)則的限制會(huì)更少。

   深紫外光刻的挑戰(zhàn):缺乏高功率源、高速光刻膠、無缺陷而高平整度的掩模帶來的延時(shí)。進(jìn)一步的挑戰(zhàn)包括提高深紫外系統(tǒng)的數(shù)值孔徑到超過0.35,以及提高增加成像系統(tǒng)反射鏡數(shù)量的可能性。

多電子束無掩模光刻技術(shù)(Multiple~e-beam masklcss1ithography)具備繞過掩模難題,去除設(shè)計(jì)規(guī)則的限制,并提供制造靈活性的潛力。在顯示高分辨率影像和關(guān)鍵尺寸控制方面己經(jīng)取得了進(jìn)展。隨著圖形幾何尺寸的縮小,散粒噪聲開始制造麻煩。光刻膠在顯影以后的坍塌會(huì)將其高寬比限制在2.5~3之間,因此,每一代工藝進(jìn)步后的光刻膠絕對(duì)厚度都減薄了。使用浸沒式光刻技術(shù),光刻膠材料的顯影過程必須保證將光刻膠引發(fā)的缺陷率降到最低,這進(jìn)一步限制了材料的選擇。對(duì)EUVL,光刻膠的氣體釋放會(huì)對(duì)精密的反射性光學(xué)表面形成污染。在為實(shí)現(xiàn)高吞吐率選擇高靈敏度光刻膠和為降低散粒噪聲選擇低靈敏度光刻膠、低LER等因素之間的折中,還將帶來更多問題,而不僅僅是光刻膠坍塌風(fēng)險(xiǎn)。電子束光刻膠也必須在靈敏度、散粒噪聲和LER之間進(jìn)行折中,但是靈敏度要求不像EUVL那么高。