為了消除諸如淺結(jié)材料擴散或結(jié)尖刺問題,常采用阻擋層金屬化方法。阻擋金EL5371IU屬層是沉積金屬或金屬塞,其作用是阻止金屬層上下的材料互相混合。對于0.35um工藝水平的器件,其阻擋層金屬厚度為400~ω0nm;對于0.25um工藝水平的器件,阻擋金屬層的厚度約10011m,而對于0,18um工藝水平的器件,其阻擋層金屬厚度約20nm。

   阻擋層金屬在集成電路制造中被廣泛應(yīng)用。為了連接鋁互連金屬線和硅源漏之間的鎢填充薄膜接觸,阻擋層金屬阻止了硅和鎢相互進入接觸點,也阻止了鎢和硅的擴散以及任何結(jié)尖刺。

   可接受的阻擋層金屬的基本特性:有很好的阻擋擴散特性,分界面兩邊材料(如鎢和硅)的擴散率在燒結(jié)溫度時很低,具有高電導率且很低的歐姆接觸電阻,在硅和金屬之間有很好的附著,抗電遷移,在高溫下有很好的穩(wěn)定性,抗侵蝕和氧化。