物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)是以物理方式進(jìn)行薄膜沉積的一種技術(shù),HC4066金屬薄膜一般都是用這種方法沉積的。PVD主要有3種技術(shù),分別是真空蒸發(fā)、濺射及分子束外延生長(zhǎng)。金屬膜的物理氣相沉積通常在一個(gè)真空系統(tǒng)中進(jìn)行。該系統(tǒng)由真空室(實(shí)際沉積就在其中進(jìn)行,內(nèi)置沉積部件、沉積源及加熱器等)、排氣系統(tǒng)及測(cè)量?jī)x器等組成。

   在集成電路工藝中,利用物理氣相沉積金屬薄膜,最常用的方法是蒸發(fā)和濺射。真空蒸發(fā)時(shí)必須把待沉積金屬加熱到相當(dāng)高的溫度,使其原子獲得足夠的能量而脫離金屬表面,當(dāng)蒸發(fā)出來(lái)的金屬原子在飛行途中遇到硅片時(shí),就沉積在硅片表面形成金屬薄膜。

   按熱源的不同,蒸發(fā)可分為電阻加熱蒸發(fā)和電子束蒸發(fā)兩種,由于前一種易帶來(lái)雜質(zhì)污染,特別是鈉離子污染,而且很難沉積高熔點(diǎn)金屬和合金薄膜。因此,在VLsIVLsI制造中多采用電子束蒸發(fā)和磁控濺射法。