CMOs集成電路的基本制造工藝

   0.18umェ藝為CMOS工藝發(fā)展的一個關鍵節(jié)點。在0.18um以上,CMOS工藝的隔離方式OP2177ARZ-REEL是采用局部氧化(Loc時0xidation of Ⅲicon,LOCos)隔離,互連采用金屬鋁。而0.18um工藝則采用淺溝槽(ShallOw Trench Isolation,sTI)隔離,阱也采用倒退阱(Rc饣ogradc wcll),金屬互連可以用鋁做互連,但大都采用銅做互連。

   產業(yè)界一般將CMOS工藝分為前段(Front End)和后段(Back End)。前段工序形成器件的源漏區(qū)域,后段工序完成器件的金屬互連。本節(jié)首先介紹0,18um CMOS 工藝的前段工序,然后分別介紹采用金屬鋁和銅做互連的后段工序。