熱電子的來源一般分為雪崩熱載流子和溝道熱載流子兩類,它對應于器件的不同工作狀態(tài)。如果吒s=‰s且/:s(0時,這時的條件叫雪崩熱載流子注入條件, ESD5Z3.3T1G此時注入?yún)^(qū)主要發(fā)生在漏結附近,是‰s控制著溝道熱電子注入量。當器件的溝道長度逐漸變小時,由于電壓不能隨比例下降,溝道中的電場強度會上升。以NMOS管為例,漏極是電場最強的地方,當溝道中的載流子進入漏極時,會獲得高能量,通過碰撞離化作用產生電子空穴對,當載流子的能量超過si/So2勢壘高度時,會注入氧化層中形成陷阱電荷或界面態(tài),使器件的特性退化,形成溝道熱載流子注入。

   界面態(tài)的產生過程如圖5.2所示,溝道熱載流子直接轟擊產生界面態(tài)陷阱,或者熱載流子激發(fā)進入氧化層形成氧化層陷阱。