熱電子的來源一般分為雪崩熱載流子和溝道熱載流子兩類,它對(duì)應(yīng)于器件的不同工作狀態(tài)。如果吒s=‰s且/:s(0時(shí),這時(shí)的條件叫雪崩熱載流子注入條件, ESD5Z3.3T1G此時(shí)注入?yún)^(qū)主要發(fā)生在漏結(jié)附近,是‰s控制著溝道熱電子注入量。當(dāng)器件的溝道長(zhǎng)度逐漸變小時(shí),由于電壓不能隨比例下降,溝道中的電場(chǎng)強(qiáng)度會(huì)上升。以NMOS管為例,漏極是電場(chǎng)最強(qiáng)的地方,當(dāng)溝道中的載流子進(jìn)入漏極時(shí),會(huì)獲得高能量,通過碰撞離化作用產(chǎn)生電子空穴對(duì),當(dāng)載流子的能量超過si/So2勢(shì)壘高度時(shí),會(huì)注入氧化層中形成陷阱電荷或界面態(tài),使器件的特性退化,形成溝道熱載流子注入。

   界面態(tài)的產(chǎn)生過程如圖5.2所示,溝道熱載流子直接轟擊產(chǎn)生界面態(tài)陷阱,或者熱載流子激發(fā)進(jìn)入氧化層形成氧化層陷阱。