當(dāng)氧化層越來越薄時(shí),除了一般觀察到的硬擊穿(HBD),還有應(yīng)力導(dǎo)致的漏電流(sILC)、 HB5-3/0VP-A軟擊穿(sBD),對(duì)于超薄柵氧化層的TDDB特性,在統(tǒng)計(jì)分布中使用第一次擊穿作為擊穿時(shí)間。TDDB效應(yīng)的測(cè)量表明,TDDB效應(yīng)與氧化層的面積和厚度有關(guān),也與環(huán)境溫度有關(guān),面積越大越容易出現(xiàn)擊穿。

   從柵氧的擊穿機(jī)理也就清楚了改進(jìn)措施。如應(yīng)注意控制原材料硅中的C、o等微量雜質(zhì)的含量,在加工工藝中應(yīng)采取各種有效的潔凈措施,防止N擴(kuò)、灰塵等沾污。熱氧化時(shí)采用兩步或三步HCl氧化法:先用高溫低速生長(zhǎng)一層約2nm的sio2,使si/So2界面平整,然后再正常生長(zhǎng)s⒑2層�？梢允褂没瘜W(xué)氣相沉積(CⅤD)生長(zhǎng)s⒑2或摻氮氧化以改進(jìn)柵氧質(zhì)量等。柵氧易受靜電損傷,它的損傷是積累性的,使用中必須采取防護(hù)措施。