互連和機械應(yīng)力。在后端BEOL工藝中,金屬化工藝對NBTI效應(yīng)有著明顯的影響。Sony和F喲itsu公司的聯(lián)合OF280SD50D研究結(jié)果表明,Cu互連中采用的大馬士革工藝加劇了NBTI效應(yīng)。Cu互連對NBTI效應(yīng)的損傷歸因于Cu金屬化中氫密度的增加,特別是金屬阻擋層中氫密度的增加。與△N/Ti相比,使用TaN作為阻擋層明顯地改善了NBTI效應(yīng)。與早先的研究結(jié)果相比,Cu金屬和Al金屬的天線結(jié)構(gòu)有相似的NBTI敏感度,結(jié)果的差異可能是由于兩種制造設(shè)施的BEOL工藝中水或氫的含量不同造成的。

    NBTI和BEOL工藝相關(guān)的另外一個重要領(lǐng)域就是金屬間介質(zhì)層(IMD,Inter1nctal Dielec廿ic)。低佬材料可以在絕緣層中引進一定濃度的水和氫,涉及的材料包括玻璃和等離子增強的化學氣相沉積介質(zhì)等。如前面所討論的,NBTI對H20非常敏感,它可以穿透PMOs器件的有源區(qū)。如果氫和水存在,隨著晶格退火釋放或擴散進入至PMOs器件的有源區(qū),這些低佬介質(zhì)材料可以引起明顯的NBTI退化。氮化可以減小這些問題的影響,但是H/H20仍有可能通過通孔穿透有源區(qū),必須小心地減小IMD中高濃度的H/H20。

   在BEOL工藝中最終影響器件NBTI性能的是器件天線比和可能的等離子體損傷。盡管形成氣體退火可以用來減小未施加應(yīng)力器件的損傷,當施加應(yīng)力條件后,等離子體損傷器件對NBTI退化變得更加敏感。柵保護的結(jié)構(gòu)和沒有天線連接的器件相比,具有更大的加速漂移。