集成電路從誕生到現(xiàn)在已經(jīng)過了50多年的發(fā)展時間,在這50多年的時間里,IXGH20N120技術(shù)的發(fā)展取得了巨大的進步。19⒛年至2008年之間,sRAM單元的面積從170Oum2縮小到32nm sRAM單元的0,171um2,數(shù)以億計的晶體管集成在一個芯片上,半導體集成電路也由早期的單元集成發(fā)展到子系統(tǒng)、系統(tǒng)集成。

   第二個階段:20世紀80年代,自對準多晶硅柵互補金屬氧化物半導體場效應晶體管(CMOs)工藝得到應用。由于采用了自對準工藝,導致寄生電容非常小,并且改善了器件的可靠性。隨著工藝和設計復雜度的日益增加,工藝與設計逐步分離,Foundry線(標準工藝加工線)公司與IC設計公司開始崛起。1980年,美國加州理工學院的Mead和Conway出版了《In“oduction to VLsI system》一書。書中提

   出了以“λ設計規(guī)則”和“等比例縮小”定律為主要內(nèi)容的IC設計與工藝制作相對獨立的思想。此外,這一時期IC CAD技術(shù)也發(fā)展到一個新的階段,能為設計提供方便的原理圖編輯、仿真驗證和版圖自動布局布線等功能。

   市場對專用集成電路的需求,帶動了標準工藝加工線(Foulldry)的發(fā)展,形成了無生產(chǎn)線℃設計公司與標準工藝加工線相結(jié)合的集成電路產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展局面。第三階段:1989年以后,集成電路工藝的主要特點為采用全自對準金屬硅化物柵、源及漏極,并且采用側(cè)墻自對準工藝形成輕摻雜漏區(qū)。自對準硅化物工藝已經(jīng)成為大規(guī)模超高速CMOS邏輯集成電路的關(guān)鍵制造工藝之一。它給高性能邏輯器件的制造提供了諸多好處。該工藝同時減小了源/漏電極和柵電極的薄膜電阻,降低了接觸電阻,并縮短了與柵相關(guān)的RC延遲。