MOS場(chǎng)效應(yīng)管的溝道長(zhǎng)度￡由多晶硅條的寬度確定,溝道寬度〃則由晶體管有源區(qū)的邊長(zhǎng)所確定。 ADM2483BRWZ-REEL版圖上的MOS場(chǎng)效應(yīng)管尺寸稱為設(shè)計(jì)尺寸,這個(gè)尺寸決定掩模版上的圖形尺寸。器件在生產(chǎn)過(guò)程中要經(jīng)歷一系列的工藝過(guò)程,將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上,最后在硅片上得到一個(gè)MOs場(chǎng)效應(yīng)管。由于制造工藝的影響,實(shí)際硅片上MOs場(chǎng)效應(yīng)管的尺寸與設(shè)計(jì)尺寸之間會(huì)有所不同。

   圖8.14所示是MOS場(chǎng)效應(yīng)管版圖。圖中給出的多晶硅線寬為E。但最終芯片上的MOs結(jié)構(gòu)中,兩個(gè)N+區(qū)域間的尺寸要小于L,這是由于在離子注入、摻雜、退火等工序期間的橫向擴(kuò)散所致。當(dāng)硅圓片被加熱時(shí),在源漏兩邊的摻雜物質(zhì)各自朝著另一邊運(yùn)動(dòng),在溝道兩端形成了長(zhǎng)度為嫵的重疊區(qū)。

   在對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行電氣分析時(shí),影響MOS場(chǎng)應(yīng)管性能的是兩個(gè)N+區(qū)之間最終的實(shí)際長(zhǎng)度,這個(gè)長(zhǎng)度即場(chǎng)效應(yīng)管的有效溝道長(zhǎng)度,或稱電學(xué)溝道長(zhǎng) 圖8.14MOs場(chǎng)效應(yīng)管版圖 度。若將其記為L(zhǎng)cp顯然有由于場(chǎng)氧生長(zhǎng)會(huì)引起有源區(qū)域減小,實(shí)際溝道寬度也會(huì)小于設(shè)計(jì)值,這稱為有源區(qū)的侵蝕,它使有效寬度變?yōu)楹餱〃訟〃,Δ〃是工藝過(guò)程中引起的溝道寬度的減小。進(jìn)行電氣分析時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管的寬長(zhǎng)比總是用有效值之比。