以P型襯底為例進(jìn)行說明,當(dāng)柵極加負(fù)偏壓%s<0,表面勢(shì)為負(fù)值。此時(shí)氧化層與半導(dǎo)體的界面的能帶會(huì)向上彎曲,并且在界面附近會(huì)吸引聚集一些空穴,M0334SC120使空穴數(shù)目變得更多,并且堆積在界面附近,稱此狀態(tài)為積累態(tài)。如圖9.9所示,分別給出了積累狀態(tài)下的能帶圖、電荷分布示意圖。此時(shí)價(jià)帶邊緣在氧化層/半導(dǎo)體界面處比襯底材料更接近P型。其中費(fèi)米能級(jí)在半導(dǎo)體中是一個(gè)常數(shù)。積累狀態(tài)下柵極及氧化物/襯底界面產(chǎn)生等量的異種電荷。該狀態(tài)等效為平板電容器,測(cè)量所得的電容等于氧化層的電容。

   圖99 積累狀態(tài)下能帶和電荷分布