sOC51的內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲器
發(fā)布時間:2016/7/8 21:23:11 訪問次數(shù):536
sOC51內(nèi)部RAM有256個單元,通常在空間上分為兩個區(qū);低128個單元(OOH~7FH)的內(nèi)部數(shù)據(jù)△`M區(qū)和高128個單元(80H~0FFH)的專用寄存器sFR區(qū)。
內(nèi)部RAM低128單元
80C51低128個單元是真正HA40201V4-000U-999的內(nèi)部數(shù)據(jù)RAM區(qū),是一個多功能復(fù)用性數(shù)據(jù)存儲器,其按用途可分為3個區(qū)域,如圖3.7和圖3,8所示。
(1)工作寄存器區(qū)(00H~1FH)
工作寄存器區(qū)也稱為通用寄存器,該區(qū)域共有4組寄存器,每組由8個寄存單元組成,每個單元8位,各組均以R0~R7作寄存器編號,共32個單元,單元的地址為O0H~1FH。在任一時刻,CPU只能使用其中一組通用寄存器,.
稱為當(dāng)前通用寄存器組,具體可由程序狀態(tài)寄存器PsW中RS1、Rs0位的狀態(tài)組合來確定。通用寄存器為CPU提供了就近存取數(shù)據(jù)的便利,提高了工作速度,也為編程提供了方便。
(2)位尋址區(qū)(⒛H~2FH)
內(nèi)部RAM的⒛H~2FH共16個單元,計16×8=128位,位地址為00H~7FH。位尋址區(qū)既可作為一般的RAM區(qū)進(jìn)行字節(jié)操作,也可對單元的每一位進(jìn)行位操作,因此稱為位尋址區(qū),是存儲空間的一部分。表3.2列出了位尋址區(qū)的位地址。
sOC51內(nèi)部RAM有256個單元,通常在空間上分為兩個區(qū);低128個單元(OOH~7FH)的內(nèi)部數(shù)據(jù)△`M區(qū)和高128個單元(80H~0FFH)的專用寄存器sFR區(qū)。
內(nèi)部RAM低128單元
80C51低128個單元是真正HA40201V4-000U-999的內(nèi)部數(shù)據(jù)RAM區(qū),是一個多功能復(fù)用性數(shù)據(jù)存儲器,其按用途可分為3個區(qū)域,如圖3.7和圖3,8所示。
(1)工作寄存器區(qū)(00H~1FH)
工作寄存器區(qū)也稱為通用寄存器,該區(qū)域共有4組寄存器,每組由8個寄存單元組成,每個單元8位,各組均以R0~R7作寄存器編號,共32個單元,單元的地址為O0H~1FH。在任一時刻,CPU只能使用其中一組通用寄存器,.
稱為當(dāng)前通用寄存器組,具體可由程序狀態(tài)寄存器PsW中RS1、Rs0位的狀態(tài)組合來確定。通用寄存器為CPU提供了就近存取數(shù)據(jù)的便利,提高了工作速度,也為編程提供了方便。
(2)位尋址區(qū)(⒛H~2FH)
內(nèi)部RAM的⒛H~2FH共16個單元,計16×8=128位,位地址為00H~7FH。位尋址區(qū)既可作為一般的RAM區(qū)進(jìn)行字節(jié)操作,也可對單元的每一位進(jìn)行位操作,因此稱為位尋址區(qū),是存儲空間的一部分。表3.2列出了位尋址區(qū)的位地址。
上一篇:定時/計數(shù)器
熱門點擊
- sio2的性質(zhì)
- PsG的主要優(yōu)點
- 程序存儲器的幾個特殊單元
- 反型狀態(tài)下能帶和電荷分布
- 離子注入后的退火
- 反電動勢的大小與線圈電感量
- 子程序調(diào)用有以下幾個優(yōu)點
- MOs器件的柵氧化層
- CMOs工藝的發(fā)展
- BCD碼調(diào)整指令是一條專用的指令
推薦技術(shù)資料
- 驅(qū)動板的原理分析
- 先來看看原理圖。圖8所示為底板及其驅(qū)動示意圖,F(xiàn)M08... [詳細(xì)]
- AMOLED顯示驅(qū)動芯片關(guān)鍵技
- CMOS圖像傳感器技術(shù)參數(shù)設(shè)計
- GB300 超級芯片應(yīng)用需求分
- 4NP 工藝NVIDIA Bl
- GB300 芯片、NVL72
- 首個最新高端芯片人工智能服務(wù)器
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究