注:MsB為最高有效位;LSB為最低有效位。

  用戶RAM區(qū)(30H~7FH)

   所剩80個單元即為用戶RAM區(qū),單元地HA50151V4-000U-999址為30H~7FH,這些單元可以作為數(shù)據(jù)緩沖器使用。在一般應用中把堆棧設置在該區(qū)域中,棧頂?shù)奈恢糜啥褩Ｖ羔榮P指示。

   對內部RAM低128單元的使用作幾點說明:

   ①80C51的內部RAM O0H~7FH單元可采用直接尋址或間接尋址方式實現(xiàn)數(shù)據(jù)傳送;

   ②內部RAM⒛H~2FH單元的位地址空間可實現(xiàn)位操作,當前工作寄存器組可通過軟件對PsW中的Rs1、Rs0位的狀態(tài)設置來選擇。