MOcVD外延層的質(zhì)量、生長速率受多種復雜因素影響和制約,其中主要的影響因素為生長溫度、HD64F2212UFP24V反應室工作壓力、反應氣源濃度、V/III比,氣體流速和襯底取向等。在MOCVD反應室中發(fā)生的、由多個步驟串聯(lián)而成的化學反應包括氣相反應和固相反應,其中在氣相進行的反應為均相反應,而在在固相表面進行的為異相反應。在這一系列的不同反應中,薄膜外延生長速率是由最慢一步的速率決定的。生長溫度是材料外延生長最重要的參數(shù),我們可以考察生長溫度與生長速率的影響,來分析和理解反應過程中生長速率的限制規(guī)律。圖⒈3是以TMGa和NH3為源生長GaN時,其生長速率與生長溫度的關(guān)系簡圖。圖中的曲線可分為3個區(qū)域:在700℃以下的低溫區(qū)、700~1050℃的中溫區(qū)和1050℃以上的高溫區(qū)。3個溫區(qū)中生長速率變化規(guī)律不同,表現(xiàn)出的化學反應過程對溫度依賴關(guān)系的變化亦不同。