為了避免天線效應(yīng),應(yīng)減小直接連接?xùn)诺亩嗑Ч韬徒饘?的面積,使它們的面積與晶體管的柵氧面積之比保持在一定的比例以下(該比例由芯片工廠給出)。 HCPL2531SD這可以通過采用金屬2過渡來實(shí)現(xiàn)。在金屬1的刻蝕過程中,金屬2沒有加工,因此直接連接到晶體管柵極的金屬l的面積大大減小,避免了金屬1所引起的天線效應(yīng)。但是仍不能避免金屬2的天線效應(yīng),因?yàn)樵诮饘?的刻蝕過程中,金屬1和通孔1己經(jīng)存在,金屬2上積累的電勢會(huì)通過這些連接通道傳到晶體管柵極,有可能使柵氧化層擊穿。因此,金屬2與晶體管的柵氧面積之比仍要保持在一定的比例以下。以此類推,各層金屬都會(huì)對(duì)MOs管上的柵氧化層產(chǎn)生天線效應(yīng)。應(yīng)注意的是,大面積的多晶硅也有可能出現(xiàn)天線效應(yīng)。因此,必須在設(shè)計(jì)時(shí)考慮其消除的方式。

   由于天線效應(yīng)是在干法刻蝕時(shí),暴露的導(dǎo)體收集電荷造成的,因此解決天線效應(yīng)的方法有金屬跳層(即采用第二層金屬過渡)、用PN結(jié)將其電荷引入襯底,如圖8.35所示。