應(yīng)該指出,pn結(jié)電容與一般電容器不同,一般電容器中電荷量與電壓成線性關(guān)系,電容是一個(gè)常數(shù)。BAV99W-NXP結(jié)電容之所以用微分定義,是因?yàn)楫?dāng)外加偏壓變化時(shí),其電容的數(shù)值也隨之變化。pn結(jié)上一般加一個(gè)固定的直流偏壓,交流信號(hào)電壓d/是疊加在直流偏壓之上的。交流信號(hào)電壓d/與直流偏壓相比是一個(gè)微小的變量。這里所說的pn結(jié)勢壘電容就是指這個(gè)微小電壓變化量d/所引起的pn結(jié)空間電荷量的變化,因此又把pn結(jié)勢壘電容稱為微分電容。由于結(jié)的勢壘區(qū)寬度隨外加電壓的變化不是線性的,所以電荷隨電壓變化也不呈線性,那么結(jié)電容便是一個(gè)非線性電容。

   利用C-V法測試半導(dǎo)體材料中的雜質(zhì)濃度時(shí),需要制備出一個(gè)金屬一半導(dǎo)體接觸的肖特基二極管,將其近似看做一個(gè)單邊突變結(jié)。假設(shè)材料中的摻雜雜質(zhì)全部電離,單位結(jié)面積上的總電荷由下式給出:,‰為自建電勢;‰卜為外加電壓; J為單邊結(jié)寬度;g為電荷量,州D為摻雜濃度;ε0為真空絕對(duì)介電常數(shù);G為材料的相對(duì)介電常數(shù),正號(hào)表示反向偏置,負(fù)號(hào)表示正向偏置。