在GaN的MOCVD外延生長(zhǎng)中,氫化物主要是作為V族源組分的NH3和作為n型摻雜源的sm4或乙硅烷si2H6等。圖l-7為氫化物供應(yīng)子系統(tǒng)示意圖,A1109AS-H-3R3M圖中給出了標(biāo)準(zhǔn)管路和雙稀釋管路兩種設(shè)計(jì)。標(biāo)準(zhǔn)管路用于NH3,配以N2和H2作為補(bǔ)充和調(diào)節(jié)比例。NH3和各載氣的流量由各自MFC來(lái)控制。在實(shí)際應(yīng)用中,會(huì)為液氨鋼瓶或槽罐配置加熱器以補(bǔ)償氣化時(shí)吸熱造成的降溫,保證高流速氨氣的有效供應(yīng)。并且會(huì)在源瓶罐底部增加電子秤以稱量源的消耗量;出于安全和有效監(jiān)控運(yùn)行的考慮,甚至還會(huì)配置在線露點(diǎn)儀、濃度監(jiān)測(cè)儀等進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控。