現(xiàn)在大家己經普遍認識到,生長/放空多路組合閥的設計和使用,使得MOCVD具有極高的靈活性和強大的新材料與復雜結構的生長能力。MOCVD能在同一個反應腔內精密生長多組分材料,以及精細結構的多層材料。A1109AS-H-4R7M生長/放空多路組合閥的能力,由此可見一斑。一般一個生長/放空多路組合閥是由多個三通閥組成。圖⒈6和圖⒈7中都給出了組合閥的示意圖。所有反應源都先進入該組合閥,在這里選擇進入生長管線(Run)或放空管線(Vcnt)。進入生長管線的反應源被高速流動的載氣帶入反應室,而進入放空線的則被另外的載氣攜帶到尾氣系統(tǒng)中。Run//Vcnt組合閥的設計和功能滿足了反應源必須能在兩管線間快速、平穩(wěn)地切換[16’l",以保證生長陡峭的異質結構或突變摻雜的需要。通過附加的流量補償管路(見圖1-6),使得切換時兩管線間維持壓力平衡。在實際生長和使用中,還可以控制放空線的流速,以維持在切換時的壓力平衡。生長管線內氣流吹掃不到或氣流滯流難動的區(qū)域通常稱作“死空間”,在管路設計和器件使用上均會考盡量減少或避免,并且還要盡量縮短從組合閥到反應室入口間的距離。特殊設計的生長/放空多路電磁組合閥的死空間己經低至0,隴cm3,且在管路布置上使之更靠近反應腔�？紤]到各種源在管道內的黏附殘留特性,會對它們各自的Run//X/cnt組合閥靠近反應腔的順序進行優(yōu)化布置。在實際工程設計中,為了防止Mo源和NH3之間的嚴重預反應(如TMAl和NH3),己將反應源分成不同組別以不同通道分別送入反應室,以免反應源過早混合在閥門內部形成加合物沉淀堵塞閥門,或進入反應室后在到達襯底前就過早反應而降低外延效率。