器件最大線性區(qū)跨導(dǎo)g“maxl的測量方法采用微分法:首先測量線性區(qū)的丸s一吒s特性,然后對該曲線取微分,得到gm⒄axl-%s曲線,從曲線中可以得到.

   MOsFET的溫度特性主要來源于溝道中載流子的遷移率〃和閾值電壓Kh隨溫度的變化。 CAP006DG載流子的遷移率隨溫度變化的基本特征是溫度上升,遷移率下降。根據(jù)式⑾,飽和區(qū)的跨導(dǎo)為,所以溫度⒕跨導(dǎo)下降。

   半導(dǎo)體特性分析儀KEITHLEY緄00中的最大線性區(qū)跨導(dǎo)g“m繼)的公式為GM=DIF※DRAINI,GATEV);GMMAX=MAX(GM)。

經(jīng)測量,NMOs晶體管的跨導(dǎo)變化率為1.150S7E-6S/℃,PMOS晶體管的跨導(dǎo)變化率為1.∞754E-7S/℃,如圖9。z和圖9.25所示。因?qū)崡l件所取的‰s為0.1V,處于線性區(qū),所以跨導(dǎo)g〃的溫度特性完全取決于溝道遷移率〃的溫度特性,二者是線性相關(guān)的,故有最大跨導(dǎo)的變化顯示出隨著溫度升高,器件的放大效應(yīng)逐漸減弱�？鐚�(dǎo)的降低表明柵極電壓對溝道的耦合能力變小,影響了器件的交流特性。