類似規(guī)律,Mo源分子的相對(duì)分子質(zhì)量越大,熔點(diǎn)或沸點(diǎn)就會(huì)越高,而蒸氣壓則越低。 A915AY-101M例如,TMGa和TEGa同為Ga的Mo源,TMGa的相對(duì)分子質(zhì)量為114.82,小于TEGa的156,91,其沸點(diǎn)(557℃)則也低于TEGa的沸點(diǎn)(143℃)。在不同金屬M(fèi)O源中,如相對(duì)分子質(zhì)量為114。眨的TMGa蒸氣壓(在⒛℃為⒉3,⒄hPa)比相對(duì)分子質(zhì)量為159.93的TMh(⒛℃為2,27hPa)的蒸氣壓高。然而也有表象上的特例:TM川的相對(duì)分子質(zhì)量雖為”09,但它的蒸氣壓(在⒛℃為11.6hPa)卻比相對(duì)分子質(zhì)量大的TMGa還低。實(shí)際的原因是,TMAl在氣相中是以二聚體形態(tài)存在,其相對(duì)分子質(zhì)量應(yīng)為1狃,18,大于TMGa的1l4.82,其蒸氣壓低于TMGa就比較好理解了。在系列Mo源中,在相對(duì)分子質(zhì)量相近時(shí),有機(jī)集團(tuán)機(jī)構(gòu)越復(fù)雜則蒸氣壓越高。此外,液體中分子間的相互作用也強(qiáng)烈地影響蒸氣壓。一般來說,比較高級(jí)、分叉較多的分子相互作用比較弱,蒸氣壓也就比較高。

   以上Mo源的各自的穩(wěn)定性及蒸氣壓力特點(diǎn)之間的差異,在實(shí)際使用時(shí)都會(huì)加以考慮,且有針對(duì)性地對(duì)每種Mo源的源瓶壓力和溫度(水浴槽溫度)甚至源瓶聯(lián)結(jié)組合方式都做個(gè)性化設(shè)定。例如,TMGa因其蒸氣壓低,易于揮發(fā),供源效率高,通常其源瓶溫度設(shè)定在一10℃~10℃之間就足以滿足反應(yīng)所需的用量。而且,也因其供源效率高,TMGa目前是快速生長(zhǎng)GaN本征層和n型G瘀層的主要Mo源。相應(yīng)的,當(dāng)需要用很小流量的TMGa生長(zhǎng)量子阱等精細(xì)結(jié)構(gòu)時(shí),反而會(huì)特別設(shè)置雙稀釋管路,以便有節(jié)制地實(shí)現(xiàn)小流量精準(zhǔn)供應(yīng)。TMAl源瓶溫度如果低于15℃,則其會(huì)在源瓶?jī)?nèi)“凍結(jié)”而難以有效供應(yīng)氣源。其源瓶溫度通常設(shè)置在17~25℃之間。