表1-2給出了LED的MOCVD外延中常用氫化物源的物理參數(shù),其中Ⅳ族的⒏H4一般經(jīng)氫氣稀釋后做為n型摻雜源。

   在GaN基LED系列材料的MOCVD生長(zhǎng)中,NH3是唯一V族氫化物源。BAS316-NXP因其N(xiāo)―H鍵能高達(dá)弱0,γkJ/mo1,熱穩(wěn)定性高,很難分解。為此G洲及其系列材料(AlN、Im、川GaN、InGεN、A1InGEN)的外延生長(zhǎng)溫度均需要設(shè)置得很高(通常在"0~11OO℃)。同時(shí),為保障有效足量地供應(yīng)活性N參與GaN系列材料的生長(zhǎng),NH3的流量也必須設(shè)置得很大,因此,實(shí)際生產(chǎn)中其消耗與成本均很高。如何降低NH3的成本并提高其分解以及利用效率也是目前NH3生產(chǎn)供應(yīng)技術(shù)MOCVD設(shè)備技術(shù)和外延生長(zhǎng)技術(shù)必須共同努力來(lái)解決的課題。NH3等作為氫化物之所以得到廣泛應(yīng)用是由于在外延層生長(zhǎng)時(shí),其熱分解后提供主體元素外,在表面上還提供氫基,將來(lái)自Mo源的含碳集團(tuán)除去。因NH3等氫化物都有毒,在實(shí)際生產(chǎn)使用中一定要采取預(yù)防措施、依照規(guī)范安全操作。同時(shí),必須保證工作場(chǎng)所具備良好的通風(fēng)條件、備有自動(dòng)報(bào)警功能的有毒氣體探測(cè)器等。

   在AlGaInP的紅光LED的MOCVD外延中磷烷和砷烷用作V族源。需要說(shuō)明的是,這類(lèi)氫化物源屬于危險(xiǎn)性氣體,遇空氣會(huì)自燃甚至爆炸,且磷烷和砷烷屬劇毒化學(xué)品。例如,空氣中砷烷濃度達(dá)到500ppm時(shí),人暴露在其中1~2分鐘內(nèi)就可致死c因此,在氫化物的使用過(guò)程中,必須配備安全監(jiān)測(cè)系統(tǒng),可探測(cè)ppb量級(jí)的泄漏,且與系統(tǒng)間有聯(lián)動(dòng)互鎖功能。